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          2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于Server(服務(wù)器)終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲,但因為PC和智能手機(jī)廠商庫存偏高,導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達(dá)167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài),并計劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場表現(xiàn)不佳,
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          TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%

          • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出,由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高,導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達(dá) 167.96 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應(yīng)客戶對
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          第八代BiCS FLASH厲害在哪里?

          • 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn),意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu),實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發(fā)的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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          1000層3D NAND Flash時代即將到來

          • Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù),為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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          ENGIE Vianeo與BICS合作,為智能電動車充電站提供支持

          • 能源公司ENGIE集團(tuán)旗下電動車充電業(yè)務(wù)部門ENGIE Vianeo,正與國際通信提供商BICS合作,為其充電站實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連接。該解決方案可提供實時數(shù)據(jù),以便進(jìn)行遠(yuǎn)程維護(hù)并提升決策能力。與BICS的合作將提供無縫連接、安全性和合規(guī)性,以支持ENGIE在歐洲的拓展計劃。電動車在歐洲越來越受歡迎——2023年新注冊電動車接近320萬輛,比2022年增長近20%。然而,這也推動了對更便捷充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求。去年,歐盟批準(zhǔn)了一項新法規(guī),在其成員國中增加更多充電站,并設(shè)定了2025年和2030年的具體目標(biāo)
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          鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品

          • 《科創(chuàng)板日報》4日訊,鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉,鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件,和現(xiàn)行產(chǎn)品相比,存儲容量提高約50%,寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
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          家樂福與BICS合作推出“家樂福旅行eSIM”產(chǎn)品

          • 國際通信提供商BICS日前宣布,與跨國零售企業(yè)家樂福(Carrefour)合作,通過家樂福移動運(yùn)營部門推出新的“旅行eSIM”產(chǎn)品。移動用戶可在出國旅行前,使用可兼容的手機(jī)購買預(yù)付費(fèi) eSIM,而不同的運(yùn)營商,則可以提供比傳統(tǒng)漫游費(fèi)率更實惠的方案。?總部設(shè)在法國的家樂福是全球最大的連鎖超市之一。家樂福與 BICS 共同推出的這一最新產(chǎn)品提升了出國旅游用戶使用手機(jī)的便利性并降低了成本,最終用戶掌握了主動權(quán)。家樂福的預(yù)付費(fèi)eSIM自主管理且自主可控,而不會由于數(shù)據(jù)使用不透明而面臨高費(fèi)率和高額賬單風(fēng)險。??作為
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          三星1000層NAND目標(biāo),靠它實現(xiàn)

          • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲支持。最新消息是,KAIST的研究
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          第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出,現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機(jī)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

          Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

          • Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用,其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上,在
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          累計上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%

          • 5月6日消息,供應(yīng)鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào),目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯q價,三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達(dá)到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元,環(huán)比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強(qiáng)勁,特別是生
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          EEPROM 和 flash 這樣講,早就懂了!

          • 前幾天看到群里在討論存儲器,有些人一直搞不懂,今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類:RAM 和 ROM。RAM 就不講了,今天主要討論 ROM。rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。后來出現(xiàn)了prom,可以自己寫入一次,要是寫錯了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機(jī)上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話,為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  flash  EEPROM  

          群聯(lián)3月營收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄

          • 近日,存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運(yùn)結(jié)果,合并營收為新臺幣67.75億元,年成長達(dá)73%,刷新歷史單月營收新高紀(jì)錄。全年度營收累計至3月份達(dá)新臺幣165.26億元,年成長達(dá)64%,為歷史同期次高。群聯(lián)表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達(dá)96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率(Bit Growth Rate)也達(dá)80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
          • 關(guān)鍵字: 群聯(lián)  SSD固態(tài)硬盤  NAND Flash  

          3D NAND,1000層競爭加速

          • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  存儲芯片  鎧俠  

          第二季NAND Flash合約價季漲13~18%,Enterprise SSD漲幅最高

          • TrendForce集邦咨詢表示,除了鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(WDC)自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外,其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑,但整體市場氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫存降低,以及減產(chǎn)效應(yīng)影響,預(yù)估第二季NAND Flash合約價將強(qiáng)勢上漲約13~18%。eMMC方面,中國智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來源,由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品,中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴(kuò)大采用模組廠方案,助益中國模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級及
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  
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